在200°C下使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)制备β相氧化镓薄膜

来自 实验室仪器网

最近，研究团队成功地在200°C下使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术制备出高质量的β相氧化镓(Ga2O3)薄膜。这项研究为氧化镓薄膜在电子器件和光电应用中的发展开辟了新的路径。

该研究利用三乙基镓(TEG)和Ar/O₂等离子体，展示了在硅、蓝宝石和玻璃基板上生长高质量氧化镓的过程。这些薄膜表现出适合宽带隙半导体应用（包括高功率电子和光电子）的特性。

原位氩等离子体退火的集成可提高薄膜密度、化学计量和结晶度。这些发现对于寻求经济高效的低温解决方案以开发无需高温退火的β相Ga₂O₃薄膜的行业具有重要意义，使其适用于温度敏感材料。

主要应用包括高频电子器件、深紫外光电探测器和气体传感器，将β-Ga₂O₃定位为宽带隙半导体领域SiC和GaN的可行替代品。

研究团队计划继续优化沉积参数，以进一步提高薄膜的电学和光学性能。此外，团队还将探索氧化镓薄膜在下一代电子器件和光电设备中的实际应用潜力。

在200°C下使用PEALD技术制备 β 相氧化镓薄膜的成功，标志着在低温条件下制备高质量功能薄膜的重要进展，为未来的电子和光电应用奠定了基础。

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