SCK 特高压ALD超高真空原子层沉积系统

 

SCK ALD系统温度范围RT ~ 500℃，能够以原子级别的精确度控制薄膜厚度，适用于超薄膜的沉积。支持多达六种前驱体的同时使用，适应不同材料的沉积需求。ALD技术的自限制特性确保每次沉积的材料量一致，保证薄膜的均匀性和一致性。能够在较低的温度下进行沉积，适合温度敏感材料的应用。

科研实验应用：1、半导体制造：用于制造高性能半导体器件，确保器件的电气性能和可靠性；2、光电器件：在光电器件（如太阳能电池和OLED）中应用，提升器件的光电转换效率；3、纳米技术：用于纳米材料的制备和改性，推动纳米技术的发展；4、MEMS器件：在微机电系统（MEMS）中进行薄膜沉积，确保器件的功能性和稳定性。

SCK 特高压ALD超高真空原子层沉积系统技术参数：

型号	SCK-超高压ALD
工艺温度	温度范围：RT~500℃ (可定制)
准确度	±1℃(可定制)
前体路径	支持6个前体气体路径 (可定制)，包括固体和液体前体源瓶
加热系统	加热温度范围: RT~150 ℃
反应物路径数	支持2个反应物气体通路 (可定制)
载气	标准: N2、MFC流量控制 (可定制)
高真空系统	支持高真空度需求的高性能分子泵
胶片转印系统	手动磁棒薄膜转移，配有专用薄膜转移室、闸阀、真空系统 (可定制)
控制系统	19英寸显示，支持触摸工业级嵌入式工业计算机，可靠性高，支持扩展
操作系统	Win7操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线和实时多任务操作

SCK 特高压ALD超高真空原子层沉积系统使用方法：

1. 设备准备：确保ALD系统处于超高真空状态，检查所有连接和前驱体气体的状态。
2. 选择前驱体：根据沉积需求选择合适的前驱体，并设置气体流量。
3. 设置温度：根据材料特性设置合适的沉积温度，确保温度控制精度。
4. 启动沉积过程：启动ALD系统，按照预设的沉积循环进行操作。
5. 监控过程：实时监控沉积过程中的压力、温度和气体流量，确保工艺稳定。
6. 数据记录与分析：沉积完成后，记录数据并进行后续的薄膜特性分析。

SCK 特高压ALD超高真空原子层沉积系统哪些实验室在用：

• 清华大学：用于半导体器件的高精度薄膜沉积。
• 北京大学：在光电器件研究中应用，提升器件性能。
• 华南理工大学：用于纳米材料的制备和改性。
• 浙江大学：在MEMS器件的开发中进行薄膜沉积。
• 南京大学：用于催化剂的研究与开发。
• 西安交通大学：在生物医药领域进行生物材料的表面改性。

SCK 特高压ALD超高真空原子层沉积系统售后服务支持：

• 保修期：设备通常提供一定期限的保修期，涵盖制造缺陷和材料问题。
• 备件供应：确保常用备件的及时供应，减少设备停机时间。
• 软件更新：定期提供软件升级服务，添加新功能和修复已知问题。
• 硬件升级：可根据需求提供硬件升级服务，提升设备性能。
• 问题响应：针对客户反馈的问题，提供快速响应和解决方案。
• 保修范围：在保修期内，涵盖设备的材料和工艺缺陷。
• 在线资源：提供用户手册、操作指南和常见问题解答（FAQ）的在线访问。
• 满意度调查：定期进行客户满意度调查，收集反馈以改进服务质量。

相关产品：

扫描电子显微镜（SEM）：用于观察沉积薄膜的微观结构，分析薄膜质量。

原子力显微镜（AFM）：用于测量薄膜的表面粗糙度和形貌特征。

X射线光电子能谱（XPS）：用于分析薄膜的化学成分和化学状态。

椭偏仪：用于测量薄膜的光学常数和厚度，评估薄膜的光学性能。

气相色谱仪（GC）：用于分析前驱体气体的纯度和成分，确保沉积过程的稳定性。

热重分析仪（TGA）：用于评估薄膜在不同温度下的热稳定性，确保材料的可靠性。