HITACHI SU8230场发射扫描电子显微镜
SU8230场发射扫描电子显微镜分辨率可达0.8nm(在15kV下)和1.1nm(在1kV下)。放大倍率范围从20X到1,000,000X,适用于不同观察需求。多种加速电压适合多种样品类型。冷场发射电子枪提供高稳定性和亮度,多种探测器配置,包括二次电子探测器、背散射电子探测器和能谱探测器(EDS),可进行元素分析和晶相分析。

科研实验应用:1、材料科学:用于观察材料的微观结构和成分分析;2、生物医学:观察生物样品的细微结构,进行细胞形态学研究;3、纳米技术:用于纳米材料的形貌和成分分析;4、环境科学:分析环境样品中的微小颗粒和污染物;5、电子材料:研究半导体和其他电子材料的微观特性。
HITACHI SU8230场发射扫描电子显微镜参数:
- 分辨率:0.8nm@15kV,工作距离为4.0mm;1.1nm@1.0kV,工作距离为1.5mm
- 着陆电压范围为0.01至2kV(0.01-1kV,步长10V;1.0-2.0kV,步长100V)
- 放大倍率:高放大模式100X至1,000,000X;低放大模式:20X至2000X
- 加速电压范围:0.01kV至30kV
- 束流模式:具有束流减速模式,允许在0.01至2kV的范围内操作
- 样品室尺寸:6英寸样品室,集成LN2冷却系统
- 载物台:5轴电动载物台。
- 非低温模式:X/Y移动范围为0-110毫米;Z:1.5-40毫米;倾斜:-5至+70;旋转:360
- 低温模式:X/Y轴移动范围约为+/-9毫米;Z轴:1.5-40毫米;倾斜:Z=8毫米或更大时倾斜30度;5毫米时倾斜15度;1.5毫米时倾斜0度
HITACHI SU8230场发射扫描电子显微镜使用方法:
- 样品准备:确保样品干燥且无挥发性物质,固定在样品台上。
- 开机:打开电源,检查各项指示灯是否正常。
- 设置参数:根据样品类型选择合适的加速电压和放大倍率。
- 成像:通过控制软件进行成像,调整焦距和对比度以获得最佳图像。
- 数据采集:使用EDS等探测器进行元素分析,记录数据。
- 图像处理:对采集的图像进行处理和分析,生成报告。
HITACHI SU8230场发射扫描电子显微镜有哪些实验室在用:
- 西安交通大学:用于材料微观结构的观察与分析。
- 清华大学:应用于纳米材料的形貌研究。
- 北京大学:用于生物样品的细胞形态学研究。
- 厦门大学:分析环境样品中的微小颗粒。
- 中山大学:研究电子材料的微观特性。
- 宁波大学:用于矿物样品的微观结构分析。
HITACHI SU8230场发射扫描电子显微镜售后服务支持:
- 服务内容:提供专业的安装和调试服务,确保设备正常运行。
- 定期维护:建议每年进行一次全面的维护,包括硬件检查和软件更新。
- 校准服务:按照国际标准对设备进行校准,保证测试结果的准确性。
- 热线支持:提供24小时技术热线,解决用户在使用过程中遇到的技术问题。
- 在线支持:通过邮件和在线聊天工具提供技术咨询。
- 原厂配件:提供原厂认证的配件和耗材,确保设备的长期稳定运行。
- 用户培训:为操作人员提供设备使用和维护的培训,确保用户熟练掌握操作技能。
- 定期研讨会:定期举办用户交流会,分享最佳实践和最新技术。
相关产品:
能谱仪(EDS):用于元素成分分析。
透射电子显微镜(TEM):用于高分辨率成像和晶体结构分析。
扫描透射电子显微镜(STEM):用于样品的透射成像和成分分析。
激光共聚焦显微镜:用于样品表面的高分辨率成像。
原子力显微镜(AFM):用于样品表面形貌的三维成像。
X射线衍射仪(XRD):用于材料的晶相分析。
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