FEI Tecnai G2 F20 S-Twin 200keV电子显微镜

 

Tecnai G2 F20 S-Twin 200keV电子显微镜支持多种成像模式，加速电压200kV，放大倍数25倍至1,030,000倍。高亮度场发射电子枪（FEG），能够提供极高的分辨率，配备高角环形暗场探测器（HAADF），能够进行高角度成像，适用于复杂样品的分析。

科研实验应用：1、材料科学：用于分析材料的微观结构和成分；2、生物医学：用于观察细胞和生物大分子的超微结构；3、纳米技术：用于纳米材料的形貌和性能研究；4、化学：用于化学反应中样品的微观分析；5、物理学：用于研究材料的晶体结构和相变。

FEI Tecnai G2 F20 S-Twin 200keV电子显微镜技术参数：

电子源

• 柔性高压输电线（20、40、80、120、160、200kV及介于两者之间的值）
• 肖特基场发射体，最大束流高(>100nA)
• 高探测电流（1nm探测中为0.5nA或更高）
• 能量分散小（0.7eV或更小）
• 光斑漂移<1纳米/分钟

标本台

• 全计算机控制、同心侧入、高稳定性CompuStage
• 最大化任意X、Y、Z、α和β组合的倾斜度
• 多种试样支架可供选择
• X、Y轴移动±1毫米，Z轴移动±0.375毫米；试样尺寸3毫米
• 样本召回重现性：≤0.3μm（x和y方向移动300μm后）和≤0.1（α倾斜）
• 使用标准支架可实现漂移≤0.5纳米/分钟

S-Twin物镜

• 信息限值（nm）0.14
• 扩展分辨率（nm）0.16
• 最小聚焦步长(nm)1.8
• TEM放大倍数范围25x-1,030kx
• 相机长度（毫米）30-4,500
• 最大衍射角±13°
• STEMHAADF分辨率（nm）0.19
• STEM放大倍数范围150x-230Mx
• 双倾斜支架的最大倾斜角度±40°
• 断层扫描支架的最大倾斜角度±80°
• EDS立体角（srad）0.13

FEI Tecnai G2 F20 S-Twin 200keV电子显微镜使用方法：

1. 准备工作：确保样品均匀分散在支持膜上并干燥。检查仪器的状态，确保所有组件正常工作。
2. 设置仪器：开机并选择合适的加速电压（200 kV）。调整样品持有器，确保样品处于正确位置。
3. 成像：选择成像模式（如明场、暗场或高分辨成像）。调整焦距和放大倍数，获取清晰的图像。
4. 数据采集：进行选区电子衍射（SAED）以获取晶体结构信息。使用能谱分析（EDS）获取样品的元素组成。
5. 结果分析：记录和分析获取的图像和数据。使用相关软件进行数据处理和结果展示。
6. 清洁与维护：关闭仪器并进行必要的清洁。定期检查和维护仪器以确保其长期稳定运行。

FEI Tecnai G2 F20 S-Twin 200keV电子显微镜有哪些实验室在用：

• 南开大学元素有机化学国家重点实验室：用于材料微观结构分析。
• 复旦大学材料科学与工程学院：用于纳米材料的形貌和性能研究。
• 北京工业大学：用于生物大分子的超微结构成像。
• 吉林大学：用于固体材料的微区形貌和结构分析。
• 中国科学院生物物理研究所：用于细胞器的超微结构分析。
• 上海微系统与信息技术研究所：用于电子器件材料的分析。

FEI Tecnai G2 F20 S-Twin 200keV电子显微镜售后服务支持：

• 电话与在线支持：提供专业的技术咨询，解答用户在操作和维护过程中遇到的问题。
• 现场服务：技术人员可根据需要到现场进行设备检查和故障排除。
• 故障诊断与维修：快速响应用户的维修请求，进行故障诊断和必要的维修。
• 更换零部件：提供原厂零部件的更换服务，确保设备的稳定性和长期使用。
• 操作培训：为用户提供设备操作培训，确保用户能够熟练使用仪器。
• 固件与软件升级：定期提供软件和固件的更新服务，以保证设备功能的最新和最佳性能。
• 用户手册：提供详细的用户手册和操作指南，帮助用户更好地理解和使用设备。
• 技术文献：提供相关的应用文献和案例分析，支持用户的研究和开发工作。

相关产品：

扫描电子显微镜（SEM）：用于材料表面形貌的观察。

X射线衍射仪（XRD）：用于材料的晶体结构分析。

能谱仪（EDS）：用于样品元素组成的定量分析。

激光共聚焦显微镜：用于生物样品的三维成像。

傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）：用于材料的化学成分分析。

质谱仪（MS）：用于样品的分子量和结构分析。