鹏城 Circular Sputter200高真空磁控溅射仪

鹏城Circular Sputter200高真空磁控溅射仪极限真空可达到6×10^-5Pa至4×10^-6Pa，支持1至4个靶材的配置，基片与靶材之间的距离可调（30mm至140mm），采用一体化柜式结构，安全性高，操作人员不会接触到高压和旋转部件，且占地面积小，采用计算机与PLC两级控制系统，具备多重安全保护功能。

科研实验应用：1、薄膜沉积：用于在多晶硅基材上沉积透明导电氧化物（如ITO、ZnO），提高光电性能；2、表面改性：通过沉积功能薄膜改善多晶硅的表面特性，增强抗反射和导电性能；3、材料复合研究：制备多晶硅与其他材料（如金属和绝缘体）的复合薄膜；4、新材料研发：用于开发新型功能材料，例如用于光伏、传感器和电子器件的薄膜。

鹏城 Circular Sputter200高真空磁控溅射仪参数：

规格/型号	Circular Sputter200
溅射靶尺寸	2"
基片尺寸	4"
磁控靶数量	3靶
腔体材质	304/316不锈钢，电解抛光
腔体数量	1~2个
真空系统	分子泵+机械泵
极限真空	8x10-5Pa
溅射方向	上或下向心溅射
靶枪电源	直流/射频/脉冲直流/HiPIMS/偏压
加热温度	600℃
膜厚监控	可选配
沉积均匀性	优于5%
控制形式	手动、半自动、自动
基片运动形式	水平旋转运动
工艺气体	1路（Ar）~5路（Ar、N2、O2、H2、CH4）
冷却监测系统	水压、水流、水温检测
备注	其它特殊功能，用户可个性化定制

基片托架：根据供件大小配置。
基片加热器温度：根据用户供应要求配置。温度可用电脑编程控制，可控可调。
基片自动速度：2~20转/分钟。
基片架：可加热、可旋转、可升降。
靶面到基片距离：30mm~140mm可调。
Φ2～Φ4英寸平面圆形靶1～4支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。
镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~4X10-6Pa，恢复工作背景真空7×10-4Pa：30分钟左右（新设备充干燥氮气）。
设备总体漏放率：关机12小时真空度≤10Pa。

鹏城 Circular Sputter200高真空磁控溅射仪使用方法：

设备检查：确认设备完好，检查电源、气源和真空泵的状态。
样品准备：准备好需要沉积薄膜的多晶硅样品，确保其表面清洁和平整。
样品装载：将样品放置在靶材和基板之间，确保正确定位。
设置实验参数：在计算机界面上输入沉积所需的气体流量、压力、功率和时间等参数。
启动真空泵：启动真空泵，抽出真空室内的空气，达到所需的真空度。
溅射沉积：启动溅射源，开始薄膜沉积过程，实时监测沉积参数。
结束沉积：沉积完成后，关闭溅射源，逐步恢复真空室内的气压。
样品取出：当室内压力恢复正常后，打开设备，取出沉积好的样品。
数据记录与分析：记录实验数据，进行后续分析和表征。
清理与维护：清理设备内外，定期进行维护，确保设备长期稳定运行。

鹏城 Circular Sputter200高真空磁控溅射仪有哪些实验室在用：

中国科学院物理研究所薄膜材料实验室：金属、陶瓷、半导体等功能性薄膜沉积及表征
清华大学材料科学与工程学院新能源材料实验室：新型能源材料如光伏电池、燃料电池薄膜制备
中国科学院微电子研究所集成电路实验室：集成电路关键薄膜材料如金属、绝缘层的沉积
北京大学微电子学院新型器件研究所：微电子器件薄膜堆栈的定制制备和性能优化
华中科技大学光电子与通信学院微纳电子实验室：新型纳米电子器件薄膜材料的溅射沉积研究

鹏城 Circular Sputter200高真空磁控溅射仪售后服务支持：

在线支持：提供电话、电子邮件和在线支持平台，解答用户在操作、维护和材料沉积过程中的问题。
定期校准：建议用户定期进行设备校准，以确保沉积过程的准确性和一致性。
维护服务：包括定期检查、清洁和必要的部件更换，确保设备的长期稳定运行。
操作培训：为新用户和现有用户提供培训课程，帮助其熟悉设备的使用、应用和最佳实践。
培训材料：提供用户手册、操作指南和在线培训资源，以支持用户的学习和使用。
便捷的备件采购：确保用户能够方便地购买所需的备件和耗材，提供及时的供应服务。
定期更新：根据需要提供设备控制软件的更新和升级，确保用户能够使用最新功能和修复。
满意度调查：定期收集用户反馈，以不断改进服务质量和用户体验。

相关产品：

扫描电子显微镜 (SEM)：用于观察薄膜的微观结构和表面形貌。

X射线衍射仪 (XRD)：分析薄膜的晶体结构和相组成。

光谱分析仪：测量薄膜的光学特性，如透光率和反射率。

电流-电压特性测试仪：评估沉积薄膜在光伏器件中的电气性能。

能谱仪 (EDX)：分析薄膜的元素组成和分布。

热重分析仪 (TGA)：测试薄膜的热稳定性和分解特性。