KINTEK KT-VHP真空热压炉

 

KT-VHP真空热压炉的工作温度可达到2200°C，适用于高温烧结和热处理。电加热元件，能够实现均匀加热，在真空环境下操作，显著降低了材料在加工过程中的污染风险。配备先进的压力控制系统，可以精确调节施加在工件上的压力，以满足不同材料的加工需求。

科研实验应用：1、高纯度多晶硅制备：用于高温下的晶体生长和纯化，提升多晶硅的质量；2、烧结与成型：在真空环境中烧结多晶硅粉末，提高材料密度和力学性能；3、薄膜沉积与改性：适用于多晶硅薄膜的沉积和表面处理，优化光电性能；4、相变研究：研究多晶硅在不同温度和压力条件下的相变特性；5、复合材料制备：结合多晶硅与其他材料，增强复合体的性能。

KINTEK KT-VHP真空热压炉技术参数：

工作温度	1500℃/2200℃
加热元件	钼/石墨
工作压力	10-400T
压力距离	100-200毫米
真空压力	6x10-3Pa
有效工作区直径范围	90-600毫米
有效工作区域直径范围	120-600毫米

KINTEK KT-VHP真空热压炉使用方法：

1. 设备检查与准备：确保炉体及相关配件完好，连接电源和气源，检查真空泵的状态。
2. 样品准备：按要求准备多晶硅样品，确保样品干燥、均匀。
3. 样品装载：将样品放置在炉腔中，确保位置正确，避免样品间接触。
4. 设置实验参数：在控制面板上输入所需的温度、压力和保持时间等实验参数。
5. 启动真空泵：启动真空泵，抽出炉腔内空气，达到所需的真空度。
6. 升温和保持：启动加热系统，按照设定的升温速率升温，并保持在目标温度下。
7. 实验进行：在保持条件下，进行实验过程，实时监测参数。
8. 降温与恢复气压：实验结束后，缓慢降温至室温，然后恢复炉腔内的气压。
9. 样品取出：当炉腔内压力恢复正常后，打开炉门小心取出样品。
10. 数据记录与分析：记录实验数据，进行后续分析。

KINTEK KT-VHP真空热压炉有哪些实验室在用：

• 中国科学院金属研究所粉末冶金实验室
• 清华大学材料科学与工程学院新材料制备实验室
• 浙江大学材料科学与工程学院结构陶瓷实验室
• 中国科学院过程工程研究所能源材料实验室
• 华南理工大学材料科学与工程学院电池材料实验室
• 中国科学院长春应化所新能源电池研究所

KINTEK KT-VHP真空热压炉售后服务支持：

• 在线咨询：提供电话和电子邮件支持，解答用户在使用过程中的技术问题。
• 应用指导：根据用户的具体应用需求，提供专业的技术指导和建议。
• 预防性维护：建议用户定期进行设备维护，以确保设备的最佳性能和延长使用寿命。
• 现场服务：提供现场维修和检修服务，快速响应用户的设备故障。
• 操作培训：为用户提供设备操作和安全使用的培训，确保用户能够熟练掌握设备的使用。
• 进阶培训：针对有经验的用户，提供高级应用和维护培训，帮助用户深入理解设备功能。
• 原厂配件：提供原厂认证的配件和耗材，确保设备的长期稳定运行。
• 快速交付：确保常用配件的快速供应，以减少设备停机时间。

相关产品：

扫描电子显微镜 (SEM)：用于观察样品的微观结构，分析晶体形态和缺陷。

X射线衍射仪 (XRD)：用于确定多晶硅的晶体相和结构特征。

差示扫描量热仪 (DSC)：评估多晶硅的热特性和相变行为。

热重分析仪 (TGA)：测量样品的热稳定性和分解特性。

光谱分析仪：用于分析多晶硅的光电特性，评估其光吸收能力。

气相色谱仪 (GC)：检测在热压过程中可能释放的气体成分。

电流-电压特性测试仪：测量多晶硅材料的电气性能，评估其在光伏应用中的表现。