scia Mill150离子束蚀刻系统

 

scia Mill150离子束蚀刻系统专为对直径最大150毫米的单一基材进行高度均匀的离子束蚀刻和铣削而设计。载体或晶圆通过自动处理系统装载。基板支架具有氦背面冷却，并且可以倾斜和旋转。无需整形器即可实现出色的均匀性。

科研实验应用：应用于磁存储器（MRAM）和传感器（GMR、TMR）的结构、MEMS生产中的金属铣、不同金属和介电材料的多层铣削、化合物半导体（GaAs、GaN、InP等）的、化学辅助离子束蚀刻(CAIBE)、3维光电微结构的生产、离子束平滑以降低微观粗糙度、光栅(SiO2)图案转移的反应离子束蚀刻(RIBE)。

scia Mill150离子束蚀刻系统技术规格：

• 基材尺寸（最大）：直径150毫米
• 基板支架：水冷、氦背面冷却接触、基板旋转速度1至20rpm，可原位倾斜0°至165°，步长为0.1°
• 离子束源：190mm圆形微波ECR源(MW218-e)
• 中和剂：三重等离子体桥中和器(N-3DC)，射频等离子体桥中和器(RF-PBN)
• 基础压力：<5x10-7毫巴
• 系统尺寸（宽x深x高）：1.90mx1.80mx1.75m（不含电气架）
• 配置：单室、可选的单基底装载锁、可选的基于OES或SIMS的终点检测
• 软件接口：SECSII/GEM、OPC

scia Mill150离子束蚀刻系统使用方法：

• 根据加工需求，设置离子束的能量、束流密度、加工时间等参数。
• 打开真空系统，并启动离子源和束控制系统。
• 将样品台移动到离子束的作用区域，并开始加工过程。
• 在加工过程中，可以监测和调整离子束的参数，以确保加工效果符合要求。
• 加工完成后，关闭设备，取出样品进行后续处理或分析。

scia Mill150离子束蚀刻系统有哪些实验室在用：

• 中国科学技术大学微雕刻与纳米制造国家实验室
• 北京大学仪器科学与技术学院微纳科技研究中心
• 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
• 同济大学微纳系统工程研究院
• 武汉微技术国家重点实验室

scia Mill150离子束蚀刻系统售后服务支持：

• 通过电话、电子邮件或现场服务提供技术咨询和支持。
• 提供设备操作、维护和安全培训，以确保用户正确使用设备。
• 设备维修、备件更换和定期保养等服务。
• 根据需要，提供设备软件和硬件的更新和升级。

相关产品：

光刻机：制备光刻胶图案，用于离子束蚀刻的掩膜。

薄膜沉积设备：在样品表面沉积薄膜，以提供保护或改变表面特性。

扫描电子显微镜：观察和分析加工后的样品表面形貌和结构。

X射线衍射仪。