OXFORD INSTRUMENTS PlasmaPro 100 PECVD等离子体化学气相沉积系统

 

高密度等离子体和低压沉积，兼容最大200mm的晶圆尺寸，电阻加热电极的温度范围为400°C至1200°C，由于电极温度均匀性和电极中的喷头设计，PlasmaPro100 PECVD可提供出色的保形沉积和低颗粒生成，从而允许射频能量产生等离子体。

科研实验应用：光伏器件研究实验室、半导体器件研究实验室、显示器件研究实验室、纳米技术研究实验室。应用于光子学、介电层、钝化和许多其他用途的氮化硅和二氧化硅的高质量PECVD、碳化硅（SiC）、非晶硅(a-Si:H)和多晶硅、用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和蚀刻。

OXFORD INSTRUMENTS PlasmaPro 100 PECVD等离子体化学气相沉积系统参数：

• 晶圆尺寸：范围最大200mm
• 温度范围：-150至400°C
• 可用ICP源尺寸：65mm和300mm
• 最多五个模块，例如PECVD、ALD、离子束蚀刻和离子束沉积技术
• 宽温度范围电极：可通过流体再循环冷却器冷却至-20°C，液氮冷却至-150°C，或电阻加热至400°C-可选的喷吹和流体交换装置可以自动执行切换模式和-20°C至-150°C转换仅需10分钟
• ICP源：尺寸为65mm或300mm，300mm源可为200mm晶圆提供出色的工艺均匀性
• 由再循环冷却装置供电的流体控制电极

OXFORD INSTRUMENTS PlasmaPro 100 PECVD等离子体化学气相沉积系统使用方法：

准备工作：

• 确保设备和所需材料都处于适当的工作条件和状态。
• 检查并准备所需的反应气体和沉积材料。
• 清洁和处理沉积室，以确保表面干净并准备好沉积。

设置沉积参数：

• 打开系统的控制界面或软件，进入参数设置界面。
• 根据所需的沉积工艺，设置沉积温度、气体流量、沉积时间等参数。
• 确认和调整气体流量控制阀门的设置，以确保所需的气体混合比例。

真空处理：

• 打开真空系统，启动抽气泵，将沉积室抽至所需的真空度。
• 等待真空稳定，确保系统达到所需的基底处理条件。

沉积过程：

• 将基底样品放置在沉积室的样品架上，并确保其位置和方向正确。
• 打开气体流控制阀门，开始供应所需的反应气体到沉积室。
• 启动射频（RF）电源，产生等离子体，并将其引入沉积室。
• 控制沉积时间，确保薄膜沉积达到所需的厚度。

沉积完成和后处理：

• 关闭气体供应和射频电源，停止等离子体产生。
• 等待沉积室内的气压恢复至大气压。
• 将样品取出，进行后续处理步骤，如退火、清洗等。

OXFORD INSTRUMENTS PlasmaPro 100 PECVD等离子体化学气相沉积系统有哪些实验室在用：

• 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
• 中国科学院微电子研究所
• 中国科学技术大学先进半导体技术研究院
• 西安理工大学先进制造科技学院

OXFORD INSTRUMENTS PlasmaPro 100 PECVD等离子体化学气相沉积系统售后支持：

• 远程诊断软件提供快速且简便的故障诊断和解决方案。
• 支持协议可根据预算和实际情况进行调整。
• 在战略位置设有全球备件库，以便快速响应。
• 全球服务工程师提供预防性维护服务和支持。
• 提供各种升级选项，用于提高工艺效率、提高生产力和降低设备使用成本。

相关产品：

• 沉积前处理设备：用于清洗、去除氧化层和表面活化的设备，例如等离子体清洗机、电子束蒸发器等。
• 表面分析设备：用于薄膜和材料表征的设备，如X射线衍射仪、扫描电子显微镜（SEM和TEM）、原子力显微镜（AFM）等。
• 沉积监测和控制设备。