PlasmaPro 80 RIE离子束刻蚀机

PlasmaPro 80 RIE离子束刻蚀机是一款紧凑、占地面积小的广泛应用于半导体器件生产的高效离子束刻蚀设备，提供多功能蚀刻和沉积解决方案，并具有方便的开放式装载。易于安装和使用，开放式装载设计可实现快速晶圆装载和卸载，非常适合研究、原型设计和小批量生产。

常见应用：

• III-V族蚀刻工艺
• 硅博世和低温蚀刻工艺
• 类金刚石碳 (DLC) 沉积
• SiO 2和石英蚀刻
• 使用专门配置的PlasmaPro FA工具进行故障分析干法蚀刻去处理，范围从封装芯片和芯片蚀刻到全 200mm 晶圆蚀刻
• 用于高亮LED生产的硬掩模蚀刻

PlasmaPro 80 RIE离子束刻蚀机在以下几个领域取得了重要应用和研究成果：

• 半导体器件元器件蚀刻生产工艺。实现了从28nm以下器件掩膜图案转移到刻蚀。
• MEMS和NEMS微机电系统的表面刻蚀加工。实现了压电芯片和微光学元器件的定向加工。
• 纳米材料成型和功能化修饰。刻蚀制备出具有纳米结构的薄膜,实现表面受能改性。
• 干涉式极紫外光刻机器人系统组装。通过RIE定向蚀刻成就了机械臂细节部件。
• 聚合物光子学器件制备。利用RIE在有机聚合物表面制造出光导波结构。
• TSV三维集成电路制程开发。进行垂直通孔的高密度深蚀刻工艺研究。
• 渐蚀锯具研发应用。实现锯齿刀刃表面的定向修形与功能化设计。
• 表面微流控治具件加工。精确刻蚀出微米至亚微米级的通道和室结构。
• 表面应力与键结关系探究。利用RIE工艺分析不同复合材料层间的平衡与失衡。

PlasmaPro 80 RIE离子束刻蚀机参数：

• 气体选择：O2、SF6、CF4、CHF3、Ar
• 线圈和偏置功率：600W和600W
• 允许的材料：Si、SiO、SiN、Nb、NbN、Ta、Ge、正性抗蚀剂、PMMA
• 禁止的材料：Au、银、铂、铜、大多数其他材料

PlasmaPro 80离子束刻蚀机的标准操作指南(SOP)：

• 检查设备电源及工业级抽气排气系统是否接通正常。
• 根据操作手册对反应区进行基于金并刷洗护理，保障干净度。
• 从刻蚀液体气源管道中导入相应气体，检查质量流量与压力指标。
• 晶片载梁入轨，执行真空泵浦排气程序，确保工作区域真空度。
• 设置RF功率、偏压值、气体流量比例，启动离子化和等离子体形成。
• 观测荧屏等离子体图像，检查参数是否在标准值范围内运行平稳。
• 输入晶片蚀刻程序参数，启动刻蚀前钝化与清洗预处理。
• 晶片下降进入等离子体区域，待程序结束自动上升卸载。
• 检测刻蚀结果，对比标准样品，参数如有偏差进行修正校准。
• 工作结束后开启排气程序，切断所有气体和电源，关闭设备。

PlasmaPro 80离子束刻蚀机有哪些实验室在用：

• 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
• 清华大学微电子学系
• 中国科学技术大学
• 中国科学院京都微电子研究所
• 武汉大学微电子学院

PlasmaPro 80 RIE刻蚀机通过精细控制离子束成分和能量，提升了芯片制程的效率和质量。