芯片制造重要突破：串列型高能氢离子注入机成功出束

来自 实验室仪器网

中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束，核心指标达到国际先进水平，这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术。‌‌

技术突破细节

‌原理创新‌：基于核物理加速器技术，采用串列加速器设计，实现从底层原理到整机集成的全链路研发。‌‌

‌性能参数‌：氢离子注入能量达750keV以上，为功率半导体制造关键环节提供高精度掺杂解决方案。‌‌

产业意义

‌供应链安全‌：此前高能氢离子注入机完全依赖进口，此次突破填补国内空白。‌‌

‌跨领域融合‌：核技术与半导体产业协同创新，助力"双碳"目标及新质生产力发展。‌‌

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